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所屬區(qū)域： 湖南-湘潭 加入時間： 2017.11.27
項目性質(zhì)： 新建 進展階段： 環(huán)境評估
投資金額： 1428.57萬元 資金來源：
業(yè)主單位： 湖南正芯微電子探測器有限公司 設計/建設單位： /
項目所在地：湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓
主要建設內(nèi)容：湖南正芯微電子探測器有限公司投資1428.57萬元，租賃湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓建設超純高阻硅特種芯片實驗室項目，研發(fā)規(guī)模為年研制24片超純高阻硅X光探測器項目。項目占地面積為700m2，主要建設實驗室、辦公室、會議室、氣源儲存室、化學品存儲室及公用輔助工程等。項目主要原材料為超純高阻硅晶片、超高純氧氣、超高純氮氣、三氯乙酸(TCA)、光刻膠、顯影液、剝離液、硫酸、氫氟酸、雙氧水、鋁腐蝕液、活性炭等，主要設備包括氧化爐、雙面曝光機、甩干機、加熱臺、勻膠機、刻蝕柜、烘箱、磁控濺射儀、快速退火爐、晶相顯微鏡、去離子純水系統(tǒng)等，生產(chǎn)工藝包括氧化、勻膠、光刻、顯影、刻蝕、純水清洗、離子注入、剝離液清洗、強酸清洗、氮氣沖洗甩干、氧化爐退火、鍍鋁、檢驗、密封保存、制作探測器（外委）等
項目簡介：
湖南正芯微電子探測器有限公司投資1428.57萬元，租賃湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓建設超純高阻硅特種芯片實驗室項目，研發(fā)規(guī)模為年研制24片超純高阻硅X光探測器項目。項目占地面積為700m2，主要建設實驗室、辦公室、會議室、氣源儲存室、化學品存儲室及公用輔助工程等。項目主要原材料為超純高阻硅晶片、超高純氧氣、超高純氮氣、三氯乙酸(TCA)、光刻膠、顯影液、剝離液、硫酸、氫氟酸、雙氧水、鋁腐蝕液、活性炭等，主要設備包括氧化爐、雙面曝光機、甩干機、加熱臺、勻膠機、刻蝕柜、烘箱、磁控濺射儀、快速退火爐、晶相顯微鏡、去離子純水系統(tǒng)等，生產(chǎn)工藝包括氧化、勻膠、光刻、顯影、刻蝕、純水清洗、離子注入、剝離液清洗、強酸清洗、氮氣沖洗甩干、氧化爐退火、鍍鋁、檢驗、密封保存、制作探測器（外委）等
企業(yè)性質(zhì)：股份制 申報方式：審批制 審批機關：湘潭環(huán)保局
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